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ECR플라즈마 工程에 의해 製造된 無定型 실리콘 薄膜과 실리콘 酸化薄膜의 特性 = Characteristics of the a-Si:H and SiO2 thin films prepared by ECR plasma processes
ECR플라즈마 工程에 의해 製造된 無定型 실리콘 薄膜과 실리콘 酸化薄膜의 特性 = Characteristics of the a-Si:H and SiO2 thin films prepared by ECR plasma processes
상세정보
- 자료유형
- 학위논문
- 청구기호
- 570 전44ㅇ
- 저자명
- 전법주
- 서명/저자
- ECR플라즈마 工程에 의해 製造된 無定型 실리콘 薄膜과 실리콘 酸化薄膜의 特性 = Characteristics of the a-Si:H and SiO2 thin films prepared by ECR plasma processes / 全法柱
- 발행사항
- 서울 : 檀國大學校 大學院, 1997.
- 형태사항
- 250 p. ; 26 cm.
- 학위논문주기
- 학위논문(박사) - 檀國大學校 大學院 : 化學工學科 化學工學專攻, 1997
- 키워드
- ECR플라즈마 공정 의해 제조 무정형 실리콘 박막 산화 특성 ECR플라즈마 工程에 의해 製造된 無定型 실리콘 薄膜과 실리콘 酸化薄膜의 特性 Characteristics of the a-Si:H and SiO2 thin films prepared by ECR plasma processes
- 가격
- 비매품
- Control Number
- kpcl:44197
MARC
008001101s1997 ulk AF 000a KOR■090 ▼a570▼b전44ㅇ
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