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극소전기영동 측정에 의한 n-Type 실리콘-전해질 접촉 경계면의 전기이중층에 관한 연구
극소전기영동 측정에 의한 n-Type 실리콘-전해질 접촉 경계면의 전기이중층에 관한 연구
상세정보
MARC
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■260 ▼a서울▼b광운대학▼c1987
■300 ▼aiv,29p.▼b삽도▼c26cm
■5020 ▼a학위논문(석사)▼b광운대학 대학원▼c전자공학과▼d1987
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