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도핑되지 않은 다결정 GaAs 반도체 계면에서 할로겐 이온의 흡착효과에 관한 연구
도핑되지 않은 다결정 GaAs 반도체 계면에서 할로겐 이온의 흡착효과에 관한 연구 / 김현우
도핑되지 않은 다결정 GaAs 반도체 계면에서 할로겐 이온의 흡착효과에 관한 연구
자료유형  
 학위논문
 
0001659703
언어부호  
본문언어 - kor, 요약문언어 - eng
KDC  
560
청구기호  
560 김94ㄷ
저자명  
김현우
서명/저자  
도핑되지 않은 다결정 GaAs 반도체 계면에서 할로겐 이온의 흡착효과에 관한 연구 / 김현우
발행사항  
서울 : 광운대학교, 1989
형태사항  
v,36장 : 삽도 ; 26cm
학위논문주기  
학위논문(석사) - 광운대학교 대학원 : 전자공학과, 1989
키워드  
도핑되지 다결정 GAAS 반도체 계면 할로 이온 흡착효과 지에이에이에스
기타저자  
김현우
기타서명  
도핑되지 않은 다결정 지에이에이에스 반도체...
가격  
비매품
Control Number  
kpcl:74913
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