서브메뉴
검색
Setp doping Profile을 잦는 Ion Implanted Depletion-type Igfet의 I-V특성에 관한연구 = A study on the I-V characteristics of Ion-Implanted depletion-ty
Setp doping Profile을 잦는 Ion Implanted Depletion-type Igfet의 I-V특성에 관한연구 = A study on the I-V characteristics of Ion-Implanted depletion-ty
- 자료유형
- 학위논문
- KDC
- 569
- 청구기호
- 569 박15ㅅ
- 저자명
- 박공희
- 서명/저자
- Setp doping Profile을 잦는 Ion Implanted Depletion-type Igfet의 I-V특성에 관한연구 = A study on the I-V characteristics of Ion-Implanted depletion-type IGFET having the step doping profile / 朴孔熙
- 발행사항
- 서울 : 韓陽大學 大學院, 1985
- 형태사항
- 30p. ; 26cm
- 학위논문주기
- 학위논문(석사) - 漢陽大學 大學院 : 電子工學科, 1985
- 키워드
- SETP DOPING PROFILE 잦 ION IMPLANTED DEPLETIONTYPE IGFET IV특성 STUDY IV CHARACTERISTICS IONIMPLANTED DEPLETIONTYPE IGFET HAVING STEP DOPING PROFILE
- 가격
- \ - 기증
- Control Number
- kpcl:13771
detalle info
- Reserva
- No existe
- 도서대출신청
- Mi carpeta
| número de libro | número de llamada | Ubicación | estado | Prestar info |
|---|---|---|---|---|
| AM000338 | TM 569 박15ㅅ '85 | 참고자료실 | 대출불가 |
대출불가 마이폴더 |
* Las reservas están disponibles en el libro de préstamos. Para hacer reservaciones, haga clic en el botón de reserva
로그인 후 이용 가능합니다.